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长期从事低维半导体与光电器件研究,压线包括半导体发光量子点与显示技术,二维半导体与集成电路技术,吸波材料与隐身技术。该工作的提出有望推动高质量锑烯在能源、程甘电子领域的应用。本工作报道了一种一锅法生长长径比超过105的单晶CsPbBr3钙钛矿线的方法,全面产率高达70%。
本工作将老化器件的上层电极层和传输层处理掉,施工对裸露的钙钛矿发光层进行了测试,施工发现器件中离子迁移带来的Br和Cs的不均匀分布,Br-的情况则更为严重,这是因为钙钛矿中Br-的活化能更低更易发生迁移。最后,宁夏高质量的锑烯经HCl简单处理后,使得Na+沿基面扩散,从而表现出良好的电容去离子性能,在超低NaCl浓度(135mgL-1)下,其吸附盐量为31.4mgg-1。
►研究工作11:湖南加压合金化方法合成高质量锑烯 (Adv.Funct.Mater.,2021,2102766)单质锑烯作为二维材料家族中的新成员,湖南近年来引起了人们的极大关注,但较高的化学活性和较窄的层间通道已经影响了将其从块体材料剥离出来的产物质量。
通过这种量身定制的三元无卤溶剂(萘烷、特高正十三烷和正壬烷)配方,特高获得了高分散性和稳定性的CsPbBr3量子点墨水,其印刷适性和成膜能力远优于二元溶剂(萘烷和正十三烷)体系,从而产生质量更好、表面缺陷更少的钙钛矿量子点薄膜。16岁上大学,压线28岁成为中科院金属研究所研究员,压线36岁被任命为中科院金属研究所所长,38岁当选中国最年轻的中科院院士,41岁成为美国《科学》杂志创刊以来第一位担任评审编辑的中国科学家。
获1996-2000年度香港求是杰出青年学者奖、程甘2005年国家自然科学二等奖(排名第三)、2012年获何梁何利科技进步奖和2015年周光召基金会基础科学奖。全面1995年获国家杰出青年基金资助。
2001-2008年在美国Nanosys高科技公司工作、施工是该公司的联合创始人之一,施工历任联合技术顾问、先进技术科学家、先进技术高级科学家、先进技术部经理和首席科学家。宁夏2005年入选中国科学院百人计划。